PVDF質量分數(shù)對纖維及晶型轉變的影響

PVDF質量分數(shù)較低時，打印出的纖維存在較多溶劑。纖維到達玻璃基板的過程中，溶劑揮發(fā)緩慢，排列在玻璃基板上時，纖維中仍含有較多溶劑。故打印針頭與玻璃基板之間的相對運動對PVDF纖維產生較弱的機械拉伸力，對α相轉變?yōu)棣孪嗍遣焕摹?/p>

PVDF質量分數(shù)為15wt％時，打印出的溶液在空中形成半固態(tài)纖維，在到達玻璃基板的過程中，受到機械拉伸力的作用變強，能夠有效地促進晶型從α相轉變?yōu)棣孪唷?/p>

玻璃基板與打印針頭之間的距離短，雖然PVDF的質量分數(shù)升高，但在這過程中溶劑不能完全揮發(fā)。故PVDF濃度從15wt％增加到17wt％時，總結晶度及β相含量的增加幅度較小，趨于平緩。

輔助電壓對PVDF薄膜結晶度及相含量的影響

輔助電壓對PVDF薄膜的結晶度及β相含量有較大的影響，輔助電壓為6kV時薄膜的結晶度及β相含量最高。

輔助電壓施加后，電場庫侖力使得α相向β相轉變，薄膜的結晶度及β相含量有所提高。但輔助電壓過高，溶劑的揮發(fā)速率加快，薄膜的結晶度及β相含量減少。

PVDF的質量分數(shù)的增加提高了薄膜的結晶度及β相含量，PVDF的質量分數(shù)由15wt％增加到17wt％時，薄膜的結晶度及β相含量增加趨勢平緩。因此，選取15wt％的PVDF作為基底制備醫(yī)用薄膜。

輔助電壓及PVDF質量分數(shù)對薄膜表面形貌的影響

輔助電壓的施加使PVDF薄膜的表面形貌發(fā)生變化。輔助電壓為4kV時，部分球晶與球晶之間的界限不甚明顯；輔助電壓為8kV時，電壓過高導致球晶尺寸減??；6kV時薄膜球晶尺寸均勻，表面較為疏松，適合作為基底制備醫(yī)用薄膜。

而PVDF的質量分數(shù)對薄膜的表面形貌影響較小，隨著PVDF濃度的增加，薄膜形貌中球晶尺寸稍有減小。

最佳制備條件及壓電性能

薄膜制備過程中施加適當?shù)妮o助電壓及配制合適濃度的打印溶液有利于提高薄膜壓電性能。當輔助電壓為6kV，打印溶液中PVDF的質量分數(shù)為15wt％時，所制備的薄膜壓電常數(shù)達到－3.89pC/N。

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